• GaP

    GaP

    Kristal Gallium fosfida (GaP) adalah bahan optik inframerah dengan kekerasan permukaan yang baik, kekonduksian terma yang tinggi dan transmisi jalur lebar.

  • ZnTe Crystal

    ZnTe Crystal

    Zinc Telluride adalah sebatian kimia binari dengan formula ZnTe.

  • Cr2+: ZnSe

    Cr2 +: ZnSe

    Cr² +: ZnSe penyerap tepu (SA) adalah bahan yang sesuai untuk suis Q pasif serat selamat mata dan laser keadaan pepejal yang beroperasi dalam julat spektrum 1.5-2.1 μm.

  • ZnGeP2 Crystals

    Kristal ZnGeP2

    Kristal ZGP yang mempunyai pekali nonlinier yang besar (d36 = 75pm / V), julat ketelusan inframerah lebar (0.75-12μm), kekonduksian terma tinggi (0.35W / (cm · K)), ambang kerosakan laser tinggi (2-5J / cm2) dan harta pemesinan dengan baik, kristal ZnGeP2 digelar sebagai raja kristal optik bukan linier inframerah dan masih merupakan bahan penukaran frekuensi terbaik untuk penjanaan laser inframerah berkuasa tinggi yang dapat ditala. Kami boleh menawarkan kristal ZGP dengan kualiti optik yang tinggi dan berdiameter besar dengan pekali penyerapan yang sangat rendah α <0,05 cm-1 (pada panjang gelombang pam 2.0-2.1 µm), yang boleh digunakan untuk menghasilkan laser boleh laras pertengahan inframerah dengan kecekapan tinggi melalui OPO atau OPA proses.

  • AgGaS2 Crystals

    Kristal AgGaS2

    AGS telus dari 0.50 hingga 13.2 µm. Walaupun pekali optik nonliniernya adalah yang terendah di antara kristal inframerah yang disebutkan, ketelusan panjang gelombang pendek yang tinggi pada 550 nm digunakan dalam OPO yang dipam oleh laser Nd: YAG; dalam pelbagai percubaan pencampuran frekuensi perbezaan dengan dioda, Ti: Sapphire, Nd: YAG dan laser pewarna IR yang merangkumi julat 3-12 µm; dalam sistem pencegahan inframerah langsung, dan untuk SHG laser CO2. Plat kristal nipis AgGaS2 (AGS) popular untuk penjanaan denyutan ultrashort pada julat pertengahan IR dengan penjanaan frekuensi perbezaan menggunakan denyutan panjang gelombang NIR.

  • AgGaSe2 Crystals

    Kristal AgGaSe2

    UMUR Kristal AgGaSe2 mempunyai tepi pita pada 0,73 dan 18 µm. Julat transmisi berguna (0,9–16 µm) dan kemampuan pemadanan fasa lebar memberikan potensi yang sangat baik untuk aplikasi OPO apabila dipompa oleh berbagai laser yang berbeza. Penalaan dalam jarak 2.5–12 µm telah diperoleh ketika mengepam oleh laser Ho: YLF pada 2.05 µm; serta operasi pemadanan fasa tidak kritikal (NCPM) dalam jarak 1.9–5.5 µm ketika mengepam pada 1.4–1.55 µm. AgGaSe2 (AgGaSe2) telah terbukti menjadi kristal penggandaan frekuensi yang cekap untuk radiasi laser CO2 inframerah.

123 Seterusnya> >> Halaman 1/3